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光刻是刻蚀的前前步骤。光刻就是在硅基表面使紫外光通过掩膜非均匀地打到光刻胶上。光刻胶暴露在光下以及不暴露的地方对光的反应不同。下一步是显影至暴露硅基底。一般使用低浓度KOH或NaOH溶液。此时在硅基表面已经形成了光刻胶组成的反向图形。之后再放入刻蚀机。一般是RIE或RIBE。通过在低压环境中电离并加速各类气体（氩气，三氟甲烷等）原子（离子源），纯物理或加入化学反应，轰击光刻胶图形表面。光刻胶和硅基一般有一个刻蚀比，光刻胶比较慢。算好轰击的时间，使硅基表面进入合适的深度，再加上一次过显影，图形就处理好了。再往下去就是离子注入，封装等一系列微电子加工工艺。