28nm以下的制程基本都是这样命名的，因为采用了FinFET等3D工艺，根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距，来为制程命名。

一桶水不满，半桶水晃荡<img src="https://i1.hoopchina.com.cn/hupuapp/bbs/0/0/thread_0_20220705070937_s_922031_o_w_308_h_308_46617.jpg?x-oss-process=image/resize,w_225/qulity,Q_60"/>

《ASML制程造假》火起来吧[奸笑]

因为距离再小，电子就开始展现波动性了。

实际上以intel为例，1999年，也就是奔腾4的0.18工艺命名就和半节距脱钩了。不过当时还算有点操守，节点命名基本是栅极长度和半节距的中间值。<img src="https://i5.hoopchina.com.cn/reply/3cd267fbafb7b75c293420f9b1bab8e0.jpeg" />

以前学的时候好像说的是某个宽度

大胆！为啥不让人家赢一会儿

实际上都是3D堆砌，所以华为才能快速追上 当初一帮人贬低华为麒麟不是真7nm，谁知道脱了底裤大家都差不多

不，这个尺度下，沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级，产生了短沟道效应，导致栅极控制能力下降，所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级，才要考虑波动性

刚我想起了半导体工艺的课程……

因为已经升到1nm了，没有办法再升级收割了，现在回到18nm，可以再升一轮，再收割一轮！<img src="https://i5.hoopchina.com.cn/hupuapp/bbs/109/37338109/thread_37338109_20210220183736_s_5420718_o_w_550_h_550_29803.gif"/>

嘿嘿，哥们就是学这个的，总算让我给装到了<img src="https://i3.hoopchina.com.cn/hupuapp/bbs/0/0/thread_0_20220731165903_s_25909_o_w_810_h_595_79234.jpg"/>

<img src="https://i5.hoopchina.com.cn/hupuapp/bbs/0/0/thread_0_20231012204439_s_981798_o_w_360_h_348_73604.gif?imageMogr2/format/webp/thumbnail/2000x>/quality/70/ignore-error/1"/>

近日，ASML在公布自己的EUV光刻机路线图时，更是将各大晶圆厂的老底掀开了，ASML的PPT，非常清楚的指出了各大晶圆工艺，对应的金属半节距，如果按照最开始芯片工艺的说法，这个才是实际的芯片工艺。N3（3nm工艺）对应的是23nm，N2（2nm工艺）对应的是22nm，A14(1.4nm工艺)对应的是21nm。A10也就是1nm时，对应的是18nm，A7也就是0.7nm时，应对的是18-16nm，甚至到A2，也就是0.2nm时，实际金属半间距是16-12nm。<div><center class="hupu-img" data-origin="https://i11.hoopchina.com.cn/editor/c451ebbe3e98cbc03a3b9a5222ae2e0e.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp?x-oss-process=image/format,png" data_url="https://i11.hoopchina.com.cn/editor/c451ebbe3e98cbc03a3b9a5222ae2e0e.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp?x-oss-process=image/resize,w_1000/format,png" src="https://i11.hoopchina.com.cn/editor/c451ebbe3e98cbc03a3b9a5222ae2e0e.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp?x-oss-process=image/resize,w_600/format,jpg/quality,Q_60" ></center></div><div><center class="hupu-img" data-origin="https://i5.hoopchina.com.cn/editor/703f65722b76f4524771c1f73555da8f.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp?x-oss-process=image/format,png" data_url="https://i5.hoopchina.com.cn/editor/703f65722b76f4524771c1f73555da8f.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp?x-oss-process=image/resize,w_1000/format,png" src="https://i5.hoopchina.com.cn/editor/703f65722b76f4524771c1f73555da8f.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp?x-oss-process=image/resize,w_600/format,jpg/quality,Q_60" ></center></div>

近日，ASML在公布自己的EUV光刻机路线图时，更是将各大晶圆厂的老底掀开了，A

ASML称 3nm 芯片实际为 23nm，1nm 芯片是 18nm

杀青散没有解药咩

<span data-type="color" data-value="rgb(25, 27, 31)" style="color:rgb(25, 27, 31);background-color:rgb(255, 255, 255);" class="slate-fontColor" data-bg-color="rgb(255, 255, 255)" data-color="rgb(25, 27, 31)">近日，ASML在公布自己的EUV光刻机路线图时，更是将各大晶圆厂的老底掀开了，ASML的PPT，非常清楚的指出了各大晶圆工艺，对应的金属半节距，如果按照最开始芯片工艺的说法，这个才是实际的芯片工艺。N3（3nm工艺）对应的是23nm，N2（2nm工艺）对应的是22nm，A14(1.4nm工艺)对应的是21nm。A10也就是1nm时，对应的是18nm，A7也就是0.7nm时，应对的是18-16nm，甚至到A2，也就是0.2nm时，实际金属半间距是16-12nm。<div class="slate-image" style="margin:0 auto"><img data-origin="https://i11.hoopchina.com.cn/editor/c451ebbe3e98cbc03a3b9a5222ae2e0e.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp" src="https://i11.hoopchina.com.cn/editor/c451ebbe3e98cbc03a3b9a5222ae2e0e.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp"></div><div class="slate-image" style="margin:0 auto"><img data-origin="https://i5.hoopchina.com.cn/editor/703f65722b76f4524771c1f73555da8f.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp" src="https://i5.hoopchina.com.cn/editor/703f65722b76f4524771c1f73555da8f.png?x-oss-process=image/resize,w_800/format,webp"></div>

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