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据最新消息，三星电子正积极推动其位于中国西安的工厂进行闪存工艺的进一步升级，计划在今年内建成V9 NAND产线。

此次升级是三星电子为保持技术领先地位和确保长期产品竞争力而采取的重要战略举措。自2023年以来，三星一直在推动西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺向更先进的工艺过渡。而此次决定安装V9 NAND产线，更是彰显了三星在闪存技术领域的雄厚实力和持续创新的决心。

据了解，V9 NAND产线将采用286层堆叠的NAND Flash闪存制程技术，这一技术的引入将显著提升西安工厂的生产能力和产品竞争力。三星计划在上半年引入该工艺所需的新设备，并力争在下半年建成一条月产能为2000至5000片晶圆的生产线。